FLASH MCU芯片CSU8RF3112高性能的RISC CPU

8位單片機(jī)MCU

內(nèi)置1K×16位程序存儲(chǔ)器FLASH

96字節(jié)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（SRAM）

54字節(jié)的E2PROM，用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

只有43條單字指令

6級(jí)存儲(chǔ)堆棧

支持ISP

FLASH MCU芯片CSU8RF3112專用微控制器的特性

上電復(fù)位（POR）

上電復(fù)位和硬件復(fù)位延遲定時(shí)器（40ms）

內(nèi)帶低電壓復(fù)位（LVR）

定時(shí)器0 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的定時(shí)計(jì)數(shù)器

定時(shí)/計(jì)數(shù)器2 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的分頻器

定時(shí)/計(jì)數(shù)器3 — 8位可編程預(yù)分頻的8位的分頻器

擴(kuò)展型看門狗定時(shí)器（32K WDT） — 可編程的時(shí)間范圍

FLASH MCU芯片CSU8RF3112外設(shè)特性

11位雙向I/O口,1位輸入口

2路蜂鳴器輸出

2路PWM輸出

4個(gè)內(nèi)部中斷，2個(gè)外部中斷

5個(gè)具有喚醒功能的輸入口

5+3 路12-bitADC

內(nèi)部1.4V、VDD、外部輸入三種參考電壓選擇

帶數(shù)字比較器

低電壓檢測(cè)（LVD）引腳，內(nèi)部提供2.4V、3.6V電壓比較

3個(gè)開漏輸出口

低功耗特性

MCU工作電流

正常模式0.85mA@4MHz(工作電壓3V)

正常模式8uA@32KHz(工作電壓3V)

休眠模式下的電流小于1μA

振蕩器

內(nèi)帶16MHz振蕩器，精度為±2%

外部32768Hz晶振（RTC）或4MHz~16MHz晶振

ERC 3V DC~4M 5V DC~8M

CMOS技術(shù)

電壓工作范圍

VDD 2.3V~5.5V .

FLASH MCU芯片CSU8RF3112特點(diǎn)

FLASH MCU芯片CSU8RF3112是一個(gè)8位RISC架構(gòu)、帶12-bit ADC的高性能單片機(jī)。該款芯片外圍配置簡單，并且自帶EEPROM，方便數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和電路的設(shè)計(jì)。該款單片機(jī)擁有卓越的AD測(cè)量、多路PWM輸出和超低的功耗，適用于多個(gè)領(lǐng)域 產(chǎn)品的開發(fā)。

應(yīng)用場(chǎng)合

電子禮品

消費(fèi)電子

家電

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